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IRFS7430TRLPBF
MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
- Fabricant
- Mfr. Partie #IRFS7430TRLPBF
- Paquet D2PAK-3
- Fiche de données IRFS7430TRLPBF DataSheet
- En stock5378
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Spécifications
| Package | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Series | HEXFET®, StrongIRFET™ |
| ProductStatus | Active |
| FETType | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 40 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 195A (Tc) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 6V, 10V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 1.2mOhm @ 100A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 3.9V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 460 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±20V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 14240 pF @ 25 V |
| PowerDissipation(Max) | 375W (Tc) |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount |
| SupplierDevicePackage | D2PAK |
Vue d'ensemble
Description
Key specifications include a maximum drain-source voltage (VDS) of 30V, a maximum continuous drain current (ID) of up to 70A, and low gate threshold voltage, which enhances its operational flexibility. It typically comes in a TO-220 package, facilitating easy heat dissipation and integration into various circuit designs. The IRFS7430TRLPBF is often utilized in consumer electronics, automotive applications, and industrial equipment where reliability and performance are critical.
Features
1. Voltage Rating: It has a maximum drain-source voltage (V_DS) of 30V, making it suitable for low-voltage applications.
2. Current Rating: It supports a continuous drain current (I_D) of up to 35A, allowing for high-load applications.
3. R_DS(on): A low on-resistance (R_DS(on)) of approximately 0.018 ohms, which reduces power loss and increases efficiency.
4. Gate Threshold Voltage: The gate-source threshold voltage (V_GS(th)) ranges from 2V to 4V, enabling it to be driven by low-voltage control signals.
5. Package: It comes in a TO-220 package, facilitating effective heat dissipation.
6. Thermal Resistance: The device exhibits low thermal resistance, enhancing performance in high-temperature environments.
These features make the IRFS7430TRLPBF ideal for applications such as power supplies, motor controls, and other power conversion systems.
Package
Pinout
1. Gate (G): Controls the MOSFET's on/off state.
2. Drain (D): The terminal through which the current exits the MOSFET.
3. Source (S): The terminal through which the current enters the MOSFET.
4. Body Diode: Internal diode for flyback protection.
The device is designed for high-speed switching, making it suitable for power management in applications such as DC-DC converters and motor drives. It features low on-resistance and fast switching times, enhancing efficiency in power applications. The IRFS7430TRLPBF is housed in a TO-220 package, ensuring good thermal performance.
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