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IRFS4310ZTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
- Fabricant
- Mfr. Partie #IRFS4310ZTRLPBF
- Paquet TO-263-3
- Fiche de données IRFS4310ZTRLPBF DataSheet
- En stock7902
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Spécifications
| Package | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Series | HEXFET® |
| ProductStatus | Active |
| FETType | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 100 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 120A (Tc) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 10V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 6mOhm @ 75A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 4V @ 150µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 170 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±20V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 6860 pF @ 50 V |
| PowerDissipation(Max) | 250W (Tc) |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount |
| SupplierDevicePackage | D2PAK |
Vue d'ensemble
Description
Features
1. Voltage Rating: It has a maximum drain-source voltage (VDS) of 30V.
2. Current Handling: Capable of handling continuous drain current (ID) up to 62A at 25°C.
3. RDS(on): Low on-resistance of about 4.4 mΩ, which minimizes conduction losses.
4. Gate Threshold Voltage: A gate threshold voltage (VGS(th)) ranging from 1V to 2.5V allows for efficient switching.
5. Package Type: Available in a compact DPAK package, facilitating thermal performance and space-saving on PCBs.
6. Fast Switching Speed: Suitable for high-frequency applications, improving overall efficiency in power circuits.
7. Thermal Resistance: Low thermal resistance ensures effective heat dissipation.
These features make the IRFS4310ZTRLPBF ideal for use in DC-DC converters, motor drives, and other high-power switching applications.
Package
Pinout
1. Gate (G): This pin is used to control the MOSFET. A voltage applied to this pin creates an electric field that turns the device on or off.
2. Drain (D): This pin is where the load current flows out of the MOSFET. It connects to the load in the circuit.
3. Source (S): This pin is connected to the ground or the negative side of the power supply. It serves as the reference point for the gate voltage.
The IRFS4310ZTRLPBF is designed for high-efficiency power switching applications, with a maximum drain-source voltage (V_DS) of 100V and continuous drain current (I_D) of 70A.
Manufacturer
Application
Equivalent
1. STP16NF06L - STMicroelectronics
2. BSS123 - NXP Semiconductors
3. IRLZ44N - Infineon Technologies
4. FQP30N06L - ON Semiconductor
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