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IRFR9214TRPBF
MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK
- Fabricant
- Mfr. Partie #IRFR9214TRPBF
- Paquet
- Fiche de données IRFR9214TRPBF DataSheet
- En stock678
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Spécifications
| Supplier | Vishay Siliconix |
| Package | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| ProductStatus | Active |
| FETType | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 250 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 2.7A (Tc) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 10V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 3Ohm @ 1.7A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 4V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 14 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±20V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 220 pF @ 25 V |
| PowerDissipation(Max) | 50W (Tc) |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount |
| SupplierDevicePackage | D-Pak |
Vue d'ensemble
Description
TRPBF denotes a Pb-free, Tape-and-Reel version (for automated assembly) in a surface‑mount power package. Exact package type and electrical ratings (VDS, ID, RDS(on) at a given VGS, gate charge, and thermal specs) are specified in the datasheet and should be consulted for design.
Common considerations: ensure proper gate drive voltage (VGS), adequate heat sinking (thermal resistance), and check the safe operating area and avalanche ratings for your application.
Where to get details: Infineon/IR product page and the IRFR9214TRPBF datasheet will give the complete electrical characteristics, packaging, and mounting recommendations.
Features
- N-channel enhancement-mode power MOSFET
- Very low Rds(on) for reduced conduction losses
- High current capability and robust switching performance
- Fast switching with low gate charge
- Avalanche energy capability for inductive-load ruggedness
- Pb-free, RoHS-compliant TRPBF package
- Suitable for switch-mode power supplies, DC-DC converters, motor drivers, and inverters
- Integrated body diode with favorable reverse-recovery characteristics
Note: For exact electrical specs (Vds, Id, Rds(on), gate charge, etc.), please refer to the official datasheet.
Package
Pinout
- Pinout: Pin 1 = Gate, Pin 2 = Drain, Pin 3 = Source; tab = Drain
- Function: N-channel enhancement-mode power MOSFET used as a switching transistor in power circuits.
Manufacturer
Type of company: A multinational semiconductor manufacturer specializing in power semiconductors (power MOSFETs, IGBTs), power-management ICs and related solutions for automotive, industrial, and consumer electronics.
Application
Equivalent
Expédition
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