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IRFR9210PBF
MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK
- Fabricant
- Mfr. Partie #IRFR9210PBF
- Paquet
- Fiche de données IRFR9210PBF DataSheet
- En stock7730
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Spécifications
| Supplier | Vishay Siliconix |
| Package | Tube |
| ProductStatus | Active |
| FETType | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 200 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 1.9A (Tc) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 10V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 3Ohm @ 1.1A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 4V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 8.9 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±20V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 170 pF @ 25 V |
| PowerDissipation(Max) | 2.5W (Ta), 25W (Tc) |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount |
| SupplierDevicePackage | D-Pak |
Vue d'ensemble
Description
Features
- N-channel enhancement-mode MOSFET
- VDS: 100 V
- ID (continuous): up to about 9 A
- RDS(on): typ ≈ 0.055 Ω (10 V gate drive); max ≈ 0.07 Ω
- Gate threshold: roughly 1.0–2.5 V
- Fast switching with low gate charge (Qg around 15 nC)
- Robust SOA and avalanche energy capability
- Integrated body diode with good reverse recovery
- Pb-free package suitable for standard surface-mount layouts
- Operating temperature range: approximately -55°C to +150°C
- Suitable applications: switch-mode power supplies, DC-DC converters, motor control, and other power-electronics tasks
Note: values can vary slightly by lot; check the latest datasheet for exact parameters.
Package
Pinout
- Pinout (typical): Pin 1 = Gate, Pin 2 = Drain, Pin 3 = Source; Drain tab is connected to Drain.
- Function: N-channel enhancement-mode power MOSFET used for switching/regulating in power electronics.
Manufacturer
Application
- High-efficiency switching regulators (buck/boost/buck-boost)
- Offline and telecom power converters
- Motor control and PWM switching circuits
- Automotive and industrial power management
- Load switching and protection devices
- Solar/battery energy systems and DC-DC regulation
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