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IRFR9120NTRPBF
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
- Fabricant
- Mfr. Partie #IRFR9120NTRPBF
- Paquet TO-252-3
- Fiche de données IRFR9120NTRPBF DataSheet
- En stock4483
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Spécifications
| Package | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Series | HEXFET® |
| ProductStatus | Active |
| FETType | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 100 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 6.6A (Tc) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 10V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 480mOhm @ 3.9A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 4V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 27 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±20V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 350 pF @ 25 V |
| PowerDissipation(Max) | 40W (Tc) |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount |
| SupplierDevicePackage | D-Pak |
Vue d'ensemble
Description
The device is encapsulated in a TO-220 package, which aids in heat dissipation due to its larger surface area. Additionally, it has fast switching speeds, contributing to improved performance in high-frequency applications. The IRFR9120NTRPBF is also RoHS-compliant, ensuring it meets environmental regulations regarding hazardous substances. Its robust design and reliability make it a popular choice among engineers working on power electronics and related fields.
Features
1. Voltage Rating: Supports a maximum drain-source voltage (Vds) of 120V.
2. Current Rating: Can handle continuous drain current (Id) up to 55A at room temperature.
3. RDS(on): Low on-state resistance, typically around 0.022 ohms, which enhances efficiency and reduces heat generation.
4. Gate Charge: Low gate charge (Qg) enables faster switching speeds, making it suitable for PWM applications.
5. Package: Available in a TO-220 package, allowing for effective heat dissipation.
6. Thermal Resistance: Features a low junction-to-case thermal resistance (RθJC), improving thermal performance.
These characteristics make the IRFR9120NTRPBF ideal for applications in power supplies, motor drives, and automotive systems. It is also RoHS compliant, ensuring it meets environmental standards.
Package
Pinout
1. Gate (G): Controls the MOSFET operation; applying a voltage to this pin turns the device on or off.
2. Drain (D): The terminal through which the load current flows; connected to the load.
3. Source (S): The terminal that connects to ground or the negative side of the circuit.
The IRFR9120NTRPBF is designed for high-speed switching applications and can handle high current and voltage levels, making it suitable for power management tasks in various electronic circuits.
Manufacturer
Application
Equivalent
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