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IRFR3710ZTRLPBF
IRFR3710 - 12V-300V N-CHANNEL PO
- Fabricant
- Mfr. Partie #IRFR3710ZTRLPBF
- Paquet TO-252-3,DPAK(2Leads+Tab),SC-63
- Fiche de données IRFR3710ZTRLPBF DataSheet
- En stock6125
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Spécifications
| Package | Bulk |
| Series | HEXFET® |
| ProductStatus | Active |
| FETType | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 100 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 42A (Tc) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 10V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 18mOhm @ 33A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 4V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 100 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±20V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 2930 pF @ 25 V |
| PowerDissipation(Max) | 140W (Tc) |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount |
| SupplierDevicePackage | D-Pak |
Vue d'ensemble
Description
Key characteristics often include high voltage ratings and fast switching capabilities, making it suitable for applications in automotive, industrial, and consumer electronics. The package type influences its thermal performance and footprint, crucial for compact designs. Overall, IRFR3710ZTRLPBF is a reliable choice for engineers looking to optimize circuit performance in demanding environments.
Features
1. Voltage Rating: It can handle a maximum drain-source voltage (Vds) of 30V, making it suitable for various low-voltage applications.
2. Current Rating: The device supports a continuous drain current (Id) of up to 55A, allowing it to drive heavy loads.
3. RDS(on): It has a low on-resistance (RDS(on)) of about 10 mΩ at Vgs = 10V, which enhances efficiency and minimizes power loss.
4. Gate Threshold Voltage: The threshold voltage (Vgs(th)) ranges from 1V to 2V, enabling it to be easily driven by logic-level signals.
5. Package: It is available in a TO-220 package, facilitating effective heat dissipation.
6. Applications: Commonly used in power management, motor control, and switching applications.
These features make the IRFR3710ZTRLPBF an efficient choice for designers requiring reliable and robust power MOSFETs.
Package
Pinout
1. Gate (G) - Controls the operation of the MOSFET.
2. Drain (D) - The output terminal where the load connects.
3. Source (S) - The terminal connected to the ground or the source of the input.
This MOSFET is designed for high-speed switching applications and has a maximum drain-source voltage (Vds) of 30V and a continuous drain current (Id) of 60A. Its low Rds(on) value enhances efficiency in power applications, making it suitable for use in power supplies, motor drivers, and other high-performance applications.
Manufacturer
Application
Equivalent
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