IRFHS8242TRPBF

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IRFHS8242TRPBF

IRFHS8242 - HEXFET POWER MOSFET

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  • Mfr. Partie #IRFHS8242TRPBF
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Spécifications

Series HEXFET®
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.9A (Ta), 21A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.4 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 653 pF @ 10 V
Power Dissipation (Max) 2.1W (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package 6-PQFN (2x2)
Package 6-PowerVDFN
Packaging Bulk

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