IRFH4210DTRPBF

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IRFH4210DTRPBF

HEXFET POWER MOSFET

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Spécifications

Supplier Rochester Electronics, LLC
Package Bulk
Series HEXFET®
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 25 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 44A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 1.1mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 2.1V @ 100µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 77 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 4812 pF @ 13 V
PowerDissipation(Max) 3.5W (Ta), 125W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage PQFN (5x6)

Expédition

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