IRFB61N15DPBF

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IRFB61N15DPBF

MOSFET N-CH 150V 60A TO220AB

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  • Mfr. Partie #IRFB61N15DPBF
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Spécifications

Supplier Rochester Electronics, LLC
Package Bulk
Series HEXFET®
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 150 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 60A (Tc)
RdsOn(Max)@IdVgs 32mOhm @ 36A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 5.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 140 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 3470 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 2.4W (Ta), 330W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Through Hole
SupplierDevicePackage TO-220AB

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