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IRF7342TRPBF
MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC
- Fabricant
- Mfr. Partie #IRF7342TRPBF
- Paquet SOP-8
- Fiche de données IRF7342TRPBF DataSheet
- En stock2968
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Spécifications
| Package | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Series | HEXFET® |
| ProductStatus | Active |
| FETType | 2 P-Channel (Dual) |
| FETFeature | Logic Level Gate |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 55V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 3.4A |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 105mOhm @ 3.4A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 1V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 38nC @ 10V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 690pF @ 25V |
| Power-Max | 2W |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount |
| Package/Case | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Vue d'ensemble
Description
Its fast switching speeds enable high-frequency operation, making it ideal for applications requiring quick response times. The IRF7342TRPBF is housed in a TO-220 package, providing excellent thermal dissipation and ease of mounting in various circuit designs. Additionally, it is RoHS compliant, ensuring it meets environmental standards.
Overall, the IRF7342TRPBF is a versatile and reliable choice for engineers looking to implement efficient power solutions in their designs.
Features
1. Voltage Rating: Maximum drain-source voltage (VDS) of 40V.
2. Current Rating: Continuous drain current (ID) of 50A at a case temperature of 25°C.
3. RDS(on): Low on-resistance, typically around 10 mΩ, ensuring efficient power conversion and reduced heat generation.
4. Gate Threshold Voltage (VGS(th)): Typically between 2V to 4V, allowing for easy gate drive compatibility.
5. Fast Switching Speed: Suitable for high-frequency applications.
6. Packages: Available in TO-220 and DPAK packages, facilitating easy mounting and heat dissipation.
7. Applications: Commonly used in power supplies, motor drives, and other power management circuits.
The IRF7342TRPBF’s combination of high efficiency, reliability, and robust performance makes it an ideal choice for various electronic applications.
Package
Pinout
1. Gate 1 (G1): Controls the first MOSFET.
2. Source 1 (S1): The source terminal for the first MOSFET.
3. Drain 1 (D1): The drain terminal for the first MOSFET.
4. Gate 2 (G2): Controls the second MOSFET.
5. Source 2 (S2): The source terminal for the second MOSFET.
6. Drain 2 (D2): The drain terminal for the second MOSFET.
The IRF7342TRPBF is designed for applications such as power management and switching in DC-DC converters, with low on-resistance and fast switching capabilities.
Manufacturer
Application
Equivalent
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