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IRF7341PBF
MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8SO
- FabricantInfineon Technologies
- Mfr. Partie #IRF7341PBF
- Paquet
- Fiche de données IRF7341PBF DataSheet
- En stock12408
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Spécifications
Series | HEXFET® |
Part Status | Discontinued at Digi-Key |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
FET Feature | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.7A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 740pF @ 25V |
Power - Max | 2W |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount |
Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Supplier Device Package | 8-SO |
Base Product Number | IRF734 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 4.7A, 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
Expédition
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