IRF6775MTRPBF

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IRF6775MTRPBF

IRF6775 - 12V-300V N-CHANNEL POW

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Garantie 365 jours

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Spécifications

Series HEXFET®
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.9A (Ta), 28A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 56mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1411 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package DIRECTFET™ MZ
Package / Case DirectFET™ Isometric MZ

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