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IPW60R037P7
MOSFETs HIGH POWER_NEW
- Fabricant
- Mfr. Partie #IPW60R037P7
- Paquet
- Fiche de données IPW60R037P7 DataSheet
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Spécifications
| Packaging | Tube |
Vue d'ensemble
Description
The device is constructed using advanced technology to ensure low on-resistance (R_DS(on)), which enhances its efficiency and thermal performance. It is commonly used in applications such as power supplies, motor drivers, and inverters, particularly in renewable energy systems like solar inverters.
The IPW60R037P7 is characterized by its fast switching capabilities, which are essential for improving system performance and reducing energy losses. Its robust construction and reliability make it a preferred choice in industrial applications.
For optimal performance, it is critical to follow the manufacturer’s guidelines regarding gate drive voltage and thermal management.
Features
1. Voltage Rating: It has a maximum drain-source voltage (Vds) of 600V, making it suitable for high-voltage applications.
2. On-Resistance: With a low on-resistance (Rds(on)) of around 0.037 ohms, it enables efficient power delivery and minimizes heat generation.
3. Current Handling: The device can handle continuous drain currents up to 60A, providing robust performance for demanding applications.
4. Gate Threshold Voltage: The gate-source threshold voltage (Vgs(th)) is between 2V to 4V, allowing for easy driving requirements.
5. Package Type: It comes in a TO-247 package, which facilitates effective heat dissipation.
6. Applications: Ideal for use in switch-mode power supplies, inverters, and other power conversion systems.
These attributes make the IPW60R037P7 a reliable choice for various power electronics applications.
Package
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Manufacturer
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