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IPB044N15N5
MOSFETs TRENCH >=100V
- Fabricant
- Mfr. Partie #IPB044N15N5
- Paquet
- Fiche de données IPB044N15N5 DataSheet
- En stock22414
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Spécifications
| Packaging | Reel |
Vue d'ensemble
Description
Features
1. Voltage Rating: It typically supports a maximum drain-source voltage (V_DS) of 150V, making it suitable for high-voltage applications.
2. Continuous Drain Current: It can handle a continuous drain current (I_D) of up to 44A, which is beneficial for power management tasks.
3. Low R_DS(on): The device offers a low on-resistance (R_DS(on)), typically around 0.044 ohms, which minimizes conduction losses and enhances efficiency.
4. Fast Switching: It has a fast switching speed, allowing for efficient operation in high-frequency applications.
5. Package Type: The MOSFET comes in a TO-220 package, facilitating easy heatsinking and enhancing thermal performance.
6. Thermal Resistance: It features a low thermal resistance, ensuring better heat dissipation during operation.
These combined attributes make the IPB044N15N5 suitable for applications like power supplies, motor drivers, and other high-performance electronics.
Package
Pinout
1. Gate (G) - This pin is used to control the MOSFET. A voltage applied to this pin allows the device to turn on (conduct) or off (non-conducting).
2. Drain (D) - This pin is where the current flows out of the MOSFET when it is in the 'on' state. It connects to the load.
3. Source (S) - This pin is connected to ground or the negative side of the power supply. Current enters the MOSFET through this pin when it is conducting.
The IPB044N15N5 is optimized for low on-resistance and high-speed switching, making it suitable for applications such as DC-DC converters, motor drives, and other power management circuits.
Manufacturer
Application
Equivalent
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