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IPB027N10N3G
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
- Fabricant
- Mfr. Partie #IPB027N10N3G
- Paquet
- Fiche de données IPB027N10N3G DataSheet
- En stock6480
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Spécifications
| Part Status | Active |
Vue d'ensemble
Description
Key features include its high thermal performance and efficiency, which are crucial for reducing power loss and improving overall system reliability. The package type is typically a TO-220, allowing for effective heat dissipation. The MOSFET's construction incorporates advanced technology for improved performance and reliability in demanding environments. Overall, the IPB027N10N3G is a versatile component for engineers looking to enhance the performance of their electronic designs.
Features
1. Voltage Rating: It supports a maximum drain-source voltage (V_DS) of 100V.
2. Continuous Drain Current: It can handle up to 27A of continuous current.
3. Low R_DS(on): Offers low on-resistance, typically around 10 mΩ, minimizing conduction losses.
4. Fast Switching: Designed for high-speed operation, suitable for applications like switching power supplies and converters.
5. Thermal Performance: Features robust thermal characteristics, enabling efficient heat dissipation.
These attributes make the IPB027N10N3G ideal for applications in renewable energy, automotive, and industrial sectors where efficient power conversion is essential.
Package
Pinout
1. Gate (G): This pin is used to control the MOSFET, applying a voltage to turn it on or off.
2. Drain (D): This pin is where the load is connected and through which the current flows when the MOSFET is turned on.
3. Source (S): This pin is connected to the ground or the negative side of the power supply, providing a return path for the current.
The device is designed for high efficiency and low on-resistance, making it suitable for various applications, including power management and switching.
Manufacturer
Application
1. DC-DC converters
2. Power supplies
3. Motor drives
4. Battery management systems
5. LED drivers
6. Telecom equipment
7. Industrial automation systems
This MOSFET is valued for its efficiency and high switching capabilities.
Equivalent
Expédition
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