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HYG015N04LS1C2
- Fabricant
- Mfr. Partie #HYG015N04LS1C2
- Paquet
- Fiche de données HYG015N04LS1C2 DataSheet
- En stock19096
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Spécifications
| Manufacturer | HUAYI |
| Package | DFN-8(5.2x5.9) |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ |
| Current - Continuous Drain(Id) | 150A |
| Pd - Power Dissipation | 75W |
| Drain to Source Voltage | 40V |
| RDS(on) | 1.4mΩ@10V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.9V |
| Type | 1 N-channel |
| Gate Charge(Qg) | 59nC@10V |
| Input Capacitance(Ciss@Vds) | 4.05nF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 33pF@25V |
Vue d'ensemble
Description
Features
1. Voltage Rating: Supports a maximum drain-source voltage (Vds) of 40V.
2. Current Rating: Capable of handling a continuous drain current (Id) of up to 15A.
3. Rds(on): Exhibits a low on-resistance, typically around 15 mΩ, which enhances efficiency and reduces power loss.
4. Gate Threshold Voltage: Has a low gate threshold voltage, allowing for easy drive with standard logic-level signals.
5. Package: Available in a compact TO-220 package, facilitating effective thermal management.
6. Fast Switching Speed: Ideal for high-frequency applications due to its quick turn-on and turn-off times.
These features make the HYG015N04LS1C2 suitable for automotive, industrial, and consumer electronics applications where efficiency and performance are critical.
Package
Pinout
1. Gate (G) - Controls the MOSFET, allowing it to turn on and off.
2. Drain (D) - The terminal through which the current flows out of the MOSFET.
3. Source (S) - The terminal through which the current flows into the MOSFET.
4. Gate (G) - Duplicated for an easier layout in some configurations.
5. Drain (D) - Also duplicated for layout flexibility.
This device is commonly used in DC-DC converters, motor drivers, and other power management applications due to its low on-resistance and high-speed switching capabilities.
Manufacturer
Application
Equivalent
Expédition
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