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H57V2562GTR-75C
- Fabricant
- Mfr. Partie #H57V2562GTR-75C
- Paquet
- Fiche de données
- En stock15498
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Spécifications
| Manufacturer | SK HYNIX |
| Package | TSOP-54-10.2mm |
Vue d'ensemble
Description
This DRAM operates on a 3.3V power supply and typically comes in a configuration suitable for a variety of memory applications, including SDRAM (Synchronous DRAM). The "GTR" suffix indicates the package type and pin configuration, while the "C" may refer to specific process technology or version.
Overall, the H57V2562GTR-75C is notable for its speed and efficiency, making it suitable for performance-critical applications.
Features
1. Density: 256 Megabits, organized as x16 bits, making it suitable for various applications needing moderate memory capacity.
2. Speed: Operates at a clock frequency of 400 MHz, supporting data rates up to 800 Mbps.
3. Voltage: Typically operates at 1.8V, which helps reduce power consumption compared to older DDR technologies.
4. Package Type: Available in a TSOP II (Thin Small Outline Package) for compact integration on PCBs.
5. Features: Supports synchronous data transfer, burst read/write operations, and has a configurable burst length of 4 or 8 bits.
6. Applications: Commonly used in mobile devices, laptops, and mid-range computing systems.
This chip provides a balance of performance and efficiency, making it a versatile choice for various applications in the consumer electronics market.
Package
Pinout
This memory chip operates at a clock frequency of 400 MHz and is designed for high-speed applications, making it suitable for use in various electronic devices. The specific functions of each pin are essential for ensuring proper communication and data transfer between the memory and the memory controller.
Manufacturer
Application
Equivalent
1. MT48LC16M16A2P-75
2. K4S561632B-75
3. IS43TR16640B-75B
Ensure to verify specifications like voltage, speed, and package type for compatibility.
Expédition
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