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GD5F1GQ5UEYIGR
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD
- Fabricant
- Mfr. Partie #GD5F1GQ5UEYIGR
- Paquet
- Fiche de données GD5F1GQ5UEYIGR DataSheet
- En stock11414
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Spécifications
| Series | GD5F |
| Part Status | Active |
| Memory Type | Non-Volatile |
| Memory Format | FLASH |
| Memory Size | 1Gbit |
| Memory Organization | 256M x 4 |
| Memory Interface | SPI - Quad I/O, QPI, DTR |
| Clock Frequency | 133 MHz |
| Voltage - Supply | 2.7V ~ 3.6V |
| Operating Temperature | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-WDFN Exposed Pad |
| Base Product Number | GD5F1GQ5 |
| Technology | FLASH - NAND (SLC) |
| Write Cycle Time - Word, Page | 600µs |
| Supplier Device Package | 8-WSON (6x8) |
| Access Time | 7 ns |
Vue d'ensemble
Description
If you have a particular context in which this code is used, please provide further details for a more tailored explanation.
Package
Pinout
The primary functions of the GD5F1GQ5UEYIGR include:
- Read/Write Operations: Supports reading and writing data with high speed.
- Erase Functions: Capable of sector and chip erase operations.
- Data Storage: Provides non-volatile storage for firmware, code, or data.
- Power Management: Operates with low power consumption, making it suitable for battery-powered devices.
- Quad SPI Support: Enhances data transfer rates by utilizing multiple data lines.
Overall, the GD5F1GQ5UEYIGR is ideal for applications such as consumer electronics, IoT devices, and automotive systems requiring reliable and efficient storage solutions.
Manufacturer
Equivalent
1. Micron MT29F1G01ABAEAWP
2. Winbond W25N01GV
3. Samsung K9GAG08U0M
Ensure to check specifications for compatibility in specific applications.
Expédition
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