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GD25Q64EWIGR
IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8WSON
- Fabricant
- Mfr. Partie #GD25Q64EWIGR
- Paquet
- Fiche de données
- En stock6692
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Spécifications
| Part Status | Active |
| DigiKey Programmable | Not Verified |
| Memory Type | Non-Volatile |
| Memory Format | FLASH |
| Technology | FLASH - NOR |
| Memory Size | 64Mbit |
| Memory Organization | 8M x 8 |
| Memory Interface | SPI - Quad I/O |
| Clock Frequency | 133 MHz |
| Write Cycle Time - Word, Page | 70µs, 2.4ms |
| Access Time | 7 ns |
| Voltage - Supply | 2.7V ~ 3.6V |
| Operating Temperature | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-WDFN Exposed Pad |
| Supplier Device Package | 8-WSON (5x6) |
| Base Product Number | GD25Q64 |
Vue d'ensemble
Description
Key features include a fast read speed of up to 104 MHz, which allows for quick data retrieval, and support for multiple services, such as program, erase, and write operations. The GD25Q64EWIGR is commonly used in applications such as embedded systems, consumer electronics, and automotive devices where reliable non-volatile storage is essential.
Additionally, it includes features like deep power-down mode for reduced power consumption and an extensive endurance of up to 100,000 program/erase cycles, making it suitable for a range of applications requiring durability and reliability.
Features
1. Interface: SPI (Serial Peripheral Interface) with support for dual and quad I/O modes for high-speed data transfer.
2. Speed: Supports clock frequencies of up to 104 MHz.
3. Voltage: Operates on a wide voltage range of 2.7V to 3.6V, making it suitable for various applications.
4. Memory Structure: Organized in 8,192 pages of 256 bytes each, with an erase block size of 4 KB.
5. Endurance: Offers high endurance of 100,000 program/erase cycles.
6. Data Retention: Guarantees data retention of 20 years.
7. Security Features: Includes a 64-bit unique ID and supports write protection features.
8. Applications: Ideal for embedded systems, consumer electronics, automotive applications, and IoT devices.
This device balances performance, capacity, and reliability, making it a versatile choice for various memory needs.
Package
Pinout
1. CS# (Chip Select): Active low signal used to enable the device.
2. SO (Serial Output): Data output pin for reading data from the memory.
3. WP# (Write Protect): Active low pin to protect memory from being written to.
4. GND: Ground connection.
5. SCK (Serial Clock): Clock input for serial communication.
6. SI (Serial Input): Data input pin for writing data to the memory.
7. HOLD#: Active low pin to pause the operation without resetting the device.
8. VCC: Power supply pin, typically 2.7V to 3.6V.
This chip supports various modes of operation, including Quad SPI, allowing for high-speed data transfer.
Manufacturer
Application
Equivalent
Expédition
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