GA10SICP12-263

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GA10SICP12-263

TRANS SJT 1200V 25A D2PAK

  • Fabricant
  • Mfr. Partie #GA10SICP12-263
  • Paquet
  • Fiche de données
  • En stock3053

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Spécifications

Supplier GeneSiC Semiconductor
Package Tube
ProductStatus Active
Technology SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 1200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 25A (Tc)
RdsOn(Max)@IdVgs 100mOhm @ 10A
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 1403 pF @ 800 V
PowerDissipation(Max) 170W (Tc)
OperatingTemperature 175°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage TO-263-7

Expédition

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