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FFSH3065A
DIODE SIL CARB 650V 26A TO247-2
- Fabricant
- Mfr. Partie #FFSH3065A
- Paquet
- Fiche de données
- En stock6944
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Spécifications
| Part Status | Active |
| Technology | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Current - Average Rectified (Io) | 26A |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 200 µA @ 650 V |
| Capacitance @ Vr, F | 1705pF @ 1V, 100kHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-2 |
| Supplier Device Package | TO-247-2 |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Base Product Number | FFSH3065 |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
Vue d'ensemble
Description
Students will engage in practical learning through case studies, risk assessment, and the development of food safety plans. By the end of the course, participants are expected to demonstrate a comprehensive understanding of food safety laws, implement effective food handling techniques, and foster a culture of safety within food service organizations. This course is essential for those pursuing careers in food management, hospitality, and culinary arts.
Features
1. Smart Connectivity: Compatible with Wi-Fi and Bluetooth for seamless integration with smart home systems.
2. Multi-Functionality: Often includes features such as voice control, remote access via mobile app, and automation capabilities.
3. User Interface: May feature a touchscreen or a user-friendly app interface for easy navigation and setup.
4. Energy Efficiency: Designed to consume less power, contributing to cost savings and environmental sustainability.
5. Customizable Settings: Users can personalize settings and schedules based on their preferences.
6. Security Features: May include encryption and secure pairing options to protect user data.
7. Compatibility: Works with various smart home ecosystems (e.g., Amazon Alexa, Google Assistant).
Always refer to the manufacturer's specifications for precise details, as features may vary by model or version.
Package
Pinout
1. Gate (G): Controls the switching action.
2. Drain (D): The output terminal where current flows out of the MOSFET.
3. Source (S): The terminal through which current enters the MOSFET.
4. Body (B): Usually internally connected to the source, providing a path for parasitic diodes.
The device is designed for high-efficiency power applications, offering low on-resistance and fast switching capabilities, making it suitable for applications such as motor drives and DC-DC converters. Always refer to the specific datasheet for detailed specifications and applications.
Manufacturer
Application
Equivalent
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