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FDS9958
MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SO
- Fabricant
- Mfr. Partie #FDS9958
- Paquet SOIC-8
- Fiche de données FDS9958 DataSheet
- En stock5634
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Spécifications
| Package | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Series | PowerTrench® |
| ProductStatus | Active |
| FETType | 2 P-Channel (Dual) |
| FETFeature | Logic Level Gate |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 60V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 2.9A |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 105mOhm @ 2.9A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 3V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 23nC @ 10V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 1020pF @ 30V |
| Power-Max | 900mW |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount |
| Package/Case | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Vue d'ensemble
Description
If you need specific details about its curriculum, prerequisites, or learning outcomes, please consult the official course syllabus or academic institution offering it.
Features
1. Low RDS(on): Provides low on-resistance for efficient conduction, minimizing power loss.
2. High Voltage Rating: Supports drain-source voltages up to 30V, making it suitable for various applications.
3. Fast Switching Speed: Capable of rapid switching, enhancing performance in high-frequency applications.
4. Thermal Management: Designed with a robust package that aids in heat dissipation, allowing for improved thermal performance.
5. Gate Threshold Voltage: Optimized for low gate drive requirements, which simplifies circuit design.
6. Applications: Commonly used in DC-DC converters, motor drives, and load switching.
These features make the FDS9958 an excellent choice for modern electronic designs that require efficiency and reliability.
Package
Pinout
1. Pin 1 (D1): Drain of the first N-channel MOSFET.
2. Pin 2 (G1): Gate of the first N-channel MOSFET.
3. Pin 3 (S1): Source of the first N-channel MOSFET.
4. Pin 4 (S2): Source of the second N-channel MOSFET.
5. Pin 5 (G2): Gate of the second N-channel MOSFET.
6. Pin 6 (D2): Drain of the second N-channel MOSFET.
7. Pin 7 (D1): Drain of the first N-channel MOSFET (Duplicate).
8. Pin 8 (D2): Drain of the second N-channel MOSFET (Duplicate).
The transistors are optimized for low on-resistance and fast switching, making them suitable for power management and DC-DC conversion applications.
Manufacturer
Application
Equivalent
Expédition
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