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FDS6898AZ
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
- Fabricant
- Mfr. Partie #FDS6898AZ
- Paquet 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Fiche de données FDS6898AZ DataSheet
- En stock9383
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Spécifications
| Supplier | onsemi,Rochester Electronics, LLC |
| Package | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Bulk |
| Series | PowerTrench® |
| ProductStatus | Active |
| FETType | 2 N-Channel (Dual) |
| FETFeature | Logic Level Gate |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 20V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 9.4A |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 14mOhm @ 9.4A, 4.5V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 1.5V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 23nC @ 4.5V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 1821pF @ 10V |
| Power-Max | 900mW |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount |
| Package/Case | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Vue d'ensemble
Description
Features
- Type: N-channel enhancement-mode MOSFET
- VDS: 30 V
- RDS(on): very low (roughly 9–13 mΩ max)
- ID: around 7–8 A continuous
- Gate: logic-level capable (VGS ≈ 4.5 V drive; VGS(th) ~ 0.7–1.5 V)
- Package: SOT-23 (AZ suffix denotes RoHS-compliant)
- Gate charge: low, suitable for fast switching
- Body diode: intrinsic diode for reverse current protection
- Avalanche rugged / robust switching characteristics
- Applications: DC-DC converters, load switching, power management
Note: exact electrical specs (max ratings, RDS(on), ID, etc.) should be verified in the official datasheet for this part.
Package
Pinout
- Function: Dual N-channel enhancement-mode MOSFET in one package (two N‑MOSFET switches for power management/DC-DC applications).
Manufacturer
- What kind of company: A multinational American semiconductor designer and manufacturer that produces energy‑efficient electronic components (power management, analog, sensors, discretes, etc.), publicly traded (NASDAQ: ON).
Application
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