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FDS3890
MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8-SO
- Fabricant
- Mfr. Partie #FDS3890
- Paquet 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Fiche de données FDS3890 DataSheet
- En stock8795
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Spécifications
| Supplier | onsemi |
| Package | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Series | PowerTrench® |
| ProductStatus | Active |
| FETType | 2 N-Channel (Dual) |
| FETFeature | Logic Level Gate |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 80V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 4.7A |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 44mOhm @ 4.7A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 4V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 35nC @ 10V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 1180pF @ 40V |
| Power-Max | 900mW |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount |
| Package/Case | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Vue d'ensemble
Description
Features
1. Low RDS(on): Provides efficient operation and reduced power loss in switching applications.
2. High Current Rating: Capable of handling significant load currents, making it suitable for various power applications.
3. Fast Switching Speed: Enables rapid turn-on and turn-off, improving overall efficiency in power conversion.
4. Thermal Management: Designed with a low thermal resistance, enhancing heat dissipation and reliability.
5. Wide Voltage Range: Operates effectively across a broad range of voltages, increasing versatility in application.
6. Compact Package: Available in a surface-mount package, facilitating easier integration into modern electronic designs.
7. Ruggedness: Offers high avalanche ratings and robustness against transient conditions.
These features make the FDS3890 ideal for use in power supplies, motor drives, and other high-efficiency applications.
Package
Pinout
1. Gate 1 (G1): Controls the first N-channel MOSFET.
2. Source 1 (S1): Source terminal for the first N-channel MOSFET.
3. Drain 1 (D1): Drain terminal for the first N-channel MOSFET.
4. Gate 2 (G2): Controls the second N-channel MOSFET.
5. Source 2 (S2): Source terminal for the second N-channel MOSFET.
6. Drain 2 (D2): Drain terminal for the second N-channel MOSFET.
7. NC (No Connection): Typically unused pin.
8. GND (Ground): Common reference point for the device.
This device is commonly used in power management applications, including DC-DC converters and load switching due to its low on-resistance and fast switching capabilities.
Manufacturer
Application
Equivalent
Expédition
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