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FDMS9620S
MOSFET 2N-CH 30V 8MLP PWR56
- Fabricant
- Mfr. Partie #FDMS9620S
- Paquet 8-PowerWDFN
- Fiche de données FDMS9620S DataSheet
- En stock9356
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Spécifications
| Supplier | onsemi |
| Package | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Cut Tape (CT) |
| Series | PowerTrench® |
| ProductStatus | Obsolete |
| FETType | 2 N-Channel (Dual) |
| FETFeature | Logic Level Gate |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 30V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 7.5A, 10A |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 21.5mOhm @ 7.5A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 3V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 14nC @ 10V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 665pF @ 15V |
| Power-Max | 1W |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount |
| Package/Case | 8-PowerWDFN |
Vue d'ensemble
Description
With a maximum drain-source voltage (V_DS) of around 60V and a continuous current rating of approximately 30A, the FDMS9620S is ideal for both high-voltage and high-current scenarios. Its compact package design allows for efficient thermal management, further enhancing performance.
The MOSFET’s gate threshold voltage (V_GS(th)) enables compatibility with various driving voltages, simplifying integration into circuit designs. Overall, the FDMS9620S is an effective solution for engineers looking for reliable and efficient MOSFETs in demanding applications.
Features
1. Voltage Rating: Maximum drain-source voltage (Vds) of 20V, suitable for low-voltage applications.
2. Current Rating: Continuous drain current (Id) of up to 60A, providing robust performance.
3. Rds(on): Low on-resistance (typically around 6.5 mΩ at Vgs = 10V), ensuring efficient power dissipation.
4. Gate Threshold Voltage: Range of 1V to 2.5V, facilitating compatibility with low-voltage logic levels.
5. Fast Switching Speed: Suitable for high-frequency applications, enhancing efficiency in power conversion circuits.
6. Thermal Resistance: Low thermal resistance (RθJA) allowing for effective heat management.
7. Package: Available in TO-220 and SO-8 packages, providing flexibility in design and layout.
These features make the FDMS9620S ideal for applications in power supplies, DC-DC converters, and motor drivers.
Package
Pinout
1. Gate (G) - Controls the MOSFET's switching.
2. Drain 1 (D1) - Main output for current flow.
3. Source 1 (S1) - Ground or reference point for Drain 1.
4. Drain 2 (D2) - Additional output for current flow, often used in parallel applications.
5. Source 2 (S2) - Ground or reference point for Drain 2.
6. Gate (G) - (second gate if applicable, often shared) - Controls the MOSFET's switching.
7. Source (S) - Common source for both channels, connecting to ground.
8. D/S - Designates the common source for the two drain pins.
This dual MOSFET design allows for efficient power management in various applications, including DC-DC converters, motor drivers, and power switching.
Manufacturer
Application
Equivalent
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