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FDMS3672
MOSFET N-CH 100V 7.4A/22A 8MLP
- Fabricant
- Mfr. Partie #FDMS3672
- Paquet
- Fiche de données
- En stock2144
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Spécifications
| Series | UltraFET™ |
| Part Status | Active |
| Base Product Number | FDMS36 |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.4A (Ta), 22A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 7.4A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2680 pF @ 50 V |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 78W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | 8-MLP (5x6), Power56 |
| Package | 8-PowerWDFN |
| Packaging | Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) |
Vue d'ensemble
Description
Features
1. Voltage Rating: It has a maximum drain-source voltage (V_DS) of 30V, suitable for various low-voltage applications.
2. Current Handling: Capable of handling a continuous drain current (I_D) of 30A, making it ideal for power management.
3. Low R_DS(on): Offers a low on-resistance (R_DS(on)) of around 0.012Ω, enhancing efficiency during operation and reducing heat generation.
4. Fast Switching: Provides fast switching capabilities, beneficial for high-frequency applications such as DC-DC converters and power supplies.
5. Thermal Performance: Equipped with a robust thermal design and package options (often TO-220 or DPAK) for effective heat dissipation.
6. Applications: Commonly used in power management, motor control, and automotive systems.
These features make the FDMS3672 a reliable choice for various electronic applications that require efficient power control and management.
Package
Pinout
The pin configuration is as follows:
1. Gate 1 (G1) - Controls the first MOSFET (Q1).
2. Source 1 (S1) - Source terminal for the first MOSFET.
3. Drain 1 (D1) - Drain terminal for the first MOSFET.
4. Gate 2 (G2) - Controls the second MOSFET (Q2).
5. Source 2 (S2) - Source terminal for the second MOSFET.
6. Drain 2 (D2) - Drain terminal for the second MOSFET.
7. Ground (GND) - Common ground connection.
8. N/C (No Connect) - Not connected.
This MOSFET is designed for efficient switching applications with low R_DS(on) for improved power efficiency.
Manufacturer
Application
Equivalent
Expédition
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