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FDMB2308PZ
MOSFET 2P-CH 6MLP
- Fabricant
- Mfr. Partie #FDMB2308PZ
- Paquet
- Fiche de données
- En stock7153
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Spécifications
| Series | PowerTrench® |
| Part Status | Obsolete |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 P-Channel (Dual) Common Drain |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36mOhm @ 5.7A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3030pF @ 10V |
| Power - Max | 800mW |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-WDFN Exposed Pad |
| Supplier Device Package | 6-MLP (2x3) |
| Base Product Number | FDMB2308 |
Vue d'ensemble
Description
Features
1. Dual Configuration: Contains two independent N-channel MOSFETs in a single package, enabling compact designs.
2. Low On-Resistance: Offers low R_DS(on) values, minimizing conduction losses and improving efficiency.
3. High Speed: Capable of fast switching speeds, making it suitable for high-frequency applications.
4. Thermal Management: Features a robust thermal performance, allowing for reliable operation under high load conditions.
5. Voltage Rating: Typically supports a maximum drain-source voltage (V_DS), suitable for a wide range of power applications.
6. Gate Threshold Voltage: Designed for low gate threshold voltage, ensuring easy drive with standard logic levels.
7. Package Type: Available in a compact, surface-mount package, facilitating PCB space savings.
These attributes make the FDMB2308PZ ideal for applications such as DC-DC converters, power management systems, and motor control circuits.
Package
Pinout
The pin configuration is as follows:
1. Gate 1 (G1) - Controls the first MOSFET.
2. Source 1 (S1) - Source terminal of the first MOSFET.
3. Drain 1 (D1) - Drain terminal of the first MOSFET.
4. Gate 2 (G2) - Controls the second MOSFET.
5. Source 2 (S2) - Source terminal of the second MOSFET.
6. Drain 2 (D2) - Drain terminal of the second MOSFET.
7. Common Drain (D) - Common connection for both MOSFET drains.
8. Common Source (S) - Common connection for both MOSFET sources.
This configuration allows for efficient switching and control in power applications.
Manufacturer
Application
Equivalent
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