FDFM2P110

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FDFM2P110

MOSFET P-CH 20V 3.5A MICROFET

  • Fabricant
  • Mfr. Partie #FDFM2P110
  • Paquet
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Spécifications

Supplier Rochester Electronics, LLC
Package Bulk
Series PowerTrench®
ProductStatus Active
FETType P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 20 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 3.5A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 2.5V, 4.5V
RdsOn(Max)@IdVgs 140mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id 1.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 4 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±12V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 280 pF @ 10 V
FETFeature Schottky Diode (Isolated)
PowerDissipation(Max) 2W (Ta)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage MicroFET 3x3mm

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