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FDD8796
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
- Fabricant
- Mfr. Partie #FDD8796
- Paquet
- Fiche de données FDD8796 DataSheet
- En stock2239
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Spécifications
| Supplier | Rochester Electronics, LLC |
| Package | Bulk |
| Series | PowerTrench® |
| ProductStatus | Active |
| FETType | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 25 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 35A (Tc) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 4.5V, 10V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 5.7mOhm @ 35A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 2.5V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 52 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±20V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 2610 pF @ 13 V |
| PowerDissipation(Max) | 88W (Tc) |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount |
| SupplierDevicePackage | TO-252AA |
Vue d'ensemble
Description
What you should know:
- Device type: power MOSFET (enhancement-mode, channel type depends on the exact device).
- Key specs to check in the datasheet: Vds (maximum drain-to-source voltage), Id (continuous current rating), Rds(on) (on-resistance), Vgs(th) (gate threshold), Qg (gate charge), packaging, and thermal characteristics.
- Gate drive: often designed for logic-level or standard gate voltages; ensure your drive voltage is compatible.
- Applications: high-speed switching in power supplies, synchronous rectification, motor control, and similar power-management tasks.
Note: exact electrical ratings can vary by manufacturer and revision. If you provide the manufacturer (Fairchild/On Semiconductor, etc.) or a link to the datasheet, I can give a precise summary of the FDD8796’s specifications.
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