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FDD86369-F085
MOSFET N-CH 80V 90A DPAK
- Fabricant
- Mfr. Partie #FDD86369-F085
- Paquet
- Fiche de données FDD86369-F085 DataSheet
- En stock2538
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Spécifications
| Series | PowerTrench® |
| Part Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 90A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.9mOhm @ 80A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 54 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2530 pF @ 40 V |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tj) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Grade | Automotive |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Package / Case | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Base Product Number | FDD86369 |
Vue d'ensemble
Description
Features
1. Frequency Range: Supports a wide range of frequencies, making it suitable for various applications.
2. Low Phase Noise: Delivers high signal integrity with minimal phase noise, crucial for maintaining signal quality.
3. Programmability: Offers programmable frequency settings, allowing users to easily adjust output frequencies via digital interfaces.
4. High Resolution: Provides fine frequency resolution, enabling precise tuning for specific applications.
5. Low Power Consumption: Designed to operate efficiently, reducing power requirements and thermal output.
6. Compact Design: Typically available in compact packages, facilitating integration into space-constrained environments.
These features make the FDD86369-F085 ideal for use in wireless communication, RF applications, and advanced electronic systems.
Package
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