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FDD6685
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
- Fabricant
- Mfr. Partie #FDD6685
- Paquet TO-252-3
- Fiche de données FDD6685 DataSheet
- En stock5915
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Spécifications
| Package | Bulk |
| Series | PowerTrench® |
| ProductStatus | Active |
| FETType | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 30 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 11A (Ta), 40A (Tc) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 4.5V, 10V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 20mOhm @ 11A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 3V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 24 nC @ 5 V |
| Vgs(Max) | ±25V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 1715 pF @ 15 V |
| PowerDissipation(Max) | 1.6W (Ta) |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount |
| SupplierDevicePackage | TO-252, (D-Pak) |
Vue d'ensemble
Description
Key features often include built-in protection mechanisms such as over-current protection, thermal shutdown, and under-voltage lockout. The FDD6685 typically supports PWM control, allowing for precise voltage regulation and improved power efficiency. Its compact package design facilitates easier integration into circuit boards, making it a popular choice among engineers for designing power supplies.
For specific electrical characteristics, application circuits, and detailed usage guidelines, refer to the manufacturer's datasheet.
Features
1. Voltage Rating: Typically operates at a maximum drain-source voltage (V_DS) of around 60V, making it suitable for medium voltage applications.
2. Current Rating: Supports continuous drain current (I_D) up to 50A or more, depending on the thermal management and package used.
3. On-Resistance (R_DS(on)): Low on-resistance, usually around 10-15 mΩ, which enhances efficiency by reducing conduction losses.
4. Switching Speed: Fast switching capabilities, beneficial for high-frequency applications, improving overall system efficiency.
5. Thermal Performance: Designed with features to manage heat dissipation effectively, often packaged in TO-220 or DPAK for better thermal conductivity.
6. Gate Threshold Voltage: Moderate gate threshold, allowing easy drive compatibility with standard logic levels.
These characteristics make the FDD6685 suitable for various applications such as DC-DC converters, motor drivers, and power inverters.
Package
Pinout
1. Gate1 - Controls the first N-channel MOSFET.
2. Drain1 - Drain terminal for the first MOSFET.
3. Source1 - Source terminal for the first MOSFET.
4. Gate2 - Controls the second N-channel MOSFET.
5. Drain2 - Drain terminal for the second MOSFET.
6. Source2 - Source terminal for the second MOSFET.
7. Drain1 (common) - Shared connection for the first MOSFET.
8. Source2 (common) - Shared connection for the second MOSFET.
Overall, the FDD6685 is designed for high-efficiency applications, with low on-resistance and fast switching capabilities.
Manufacturer
Application
Equivalent
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