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F50D1G41LB-83YIG2M
- Fabricant
- Mfr. Partie #F50D1G41LB-83YIG2M
- Paquet
- Fiche de données
- En stock10475
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Spécifications
| Manufacturer | ESMT(Elite Semicon Memory Tech) |
| Package | WSON-8_8X6 |
Vue d'ensemble
Description
This component is commonly used in smartphones, tablets, and laptops, enabling efficient multitasking and improved performance in handling applications. The “-83YIG2M” part likely denotes specific variations in operating speed, voltage, or packaging type. When integrating this memory into a system, considerations such as compatibility with the motherboard and power supply requirements are essential for optimal performance. As technology advances, devices like the F50D1G41LB-83YIG2M continue to evolve, offering greater speed and efficiency in data processing.
Features
1. Density: 1 Gigabit capacity, suitable for high-performance applications.
2. Data Rate: Operates at DDR3 standards, supporting data rates of up to 1600 MT/s (Mega Transfers per second).
3. Voltage: Typically operates at a low voltage of 1.5V, enhancing energy efficiency.
4. Package Type: Usually comes in a compact FBGA (Fine Ball Grid Array) package, facilitating space-efficient designs.
5. Access Speed: Offers fast access times, improving overall system performance.
6. Interface: Utilizes a standard DDR3 interface for compatibility with a wide range of devices.
7. Applications: Commonly used in computing, networking, and consumer electronics, including laptops and desktops.
These features make the F50D1G41LB-83YIG2M ideal for applications requiring reliable and efficient memory solutions.
Package
Pinout
The primary function of this chip is to provide high-speed memory for various applications, including computing devices and embedded systems. It operates at a voltage of 1.5V and is designed for data rates of up to 1600 MT/s. The chip follows the DDR3 standard, which enables efficient data transfer and improved performance compared to previous DDR generations.
Key functions include data storage, address input, and control signals for read/write operations, making it suitable for dynamic memory applications.
Manufacturer
Application
Equivalent
Expédition
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