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DS1245Y-70IND
IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
- Fabricant
- Mfr. Partie #DS1245Y-70IND
- Paquet DIP-32
- Fiche de données DS1245Y-70IND DataSheet
- En stock8530
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Spécifications
| Package | Tube |
| ProductStatus | Active |
| MemoryType | Non-Volatile |
| MemoryFormat | NVSRAM |
| Technology | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| MemorySize | 1Mb (128K x 8) |
| MemoryInterface | Parallel |
| WriteCycleTime-WordPage | 70ns |
| AccessTime | 70 ns |
| Voltage-Supply | 4.5V ~ 5.5V |
| OperatingTemperature | -40°C ~ 85°C (TA) |
| MountingType | Through Hole |
| Package/Case | 32-DIP Module (0.600, 15.24mm) |
Vue d'ensemble
Description
The device has a simple interface compatible with common SRAM protocols, making it easy to integrate into existing designs. It operates within a temperature range of -40°C to +85°C, ensuring reliability in harsh environments. The DS1245Y-70IND also features low power consumption, which enhances its usability in battery-powered devices.
In summary, the DS1245Y-70IND is ideal for applications needing fast, reliable, and non-volatile memory solutions.
Features
1. Memory Type: 64K-bit (8K x 8) CMOS SRAM.
2. Non-Volatility: Uses a lithium battery to retain data for over 10 years, enabling data preservation during power loss.
3. Access Time: 70 ns access time for fast data retrieval.
4. Operating Voltage: Typically operates at 3.0V to 5.5V.
5. Low Power Consumption: Designed for low power operation, making it suitable for battery-powered applications.
6. Easy Integration: Compatible with standard SRAM interfaces, allowing straightforward integration into existing systems.
7. Industrial Temperature Range: Rated for -40°C to +85°C, suitable for harsh environments.
These features make the DS1245Y-70IND ideal for applications such as data logging, industrial control systems, and any device that requires reliable memory storage without continuous power supply.
Package
Pinout
- Data Storage: Retains data for over 10 years without power, thanks to built-in lithium battery backup.
- Accessing Data: Offers typical access times of 70 ns.
- Memory Management: Supports both read and write operations, enabling data manipulation.
- Control Signals: Includes control pins such as Chip Enable (CE), Output Enable (OE), and Write Enable (WE) for memory access management.
- Battery Monitoring: Monitors battery status to ensure data integrity.
This component is suitable for applications requiring reliable data retention, such as in industrial, automotive, and telecommunications systems.
Manufacturer
Application
Equivalent
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