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DMN3032LFDB-7
MOSFET 2N-CH 30V 6.2A UDFN2020-6
- Fabricant
- Mfr. Partie #DMN3032LFDB-7
- Paquet 6-UDFN Exposed Pad
- Fiche de données DMN3032LFDB-7 DataSheet
- En stock4512
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Spécifications
| Supplier | Diodes Incorporated |
| Package | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| ProductStatus | Active |
| FETType | 2 N-Channel (Dual) |
| FETFeature | Standard |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 30V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 6.2A |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 30mOhm @ 5.8A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 2V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 10.6nC @ 10V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 500pF @ 15V |
| Power-Max | 1W |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount |
| Package/Case | 6-UDFN Exposed Pad |
Vue d'ensemble
Description
Features
- Dual N-channel enhancement-mode MOSFETs in a single compact package (DB-7/DFN style).
- VDS: 30 V rating.
- Very low RDS(on) per FET (typical a few milliohms at VGS ≈ 4.5 V).
- Logic-level gate drive (low VGS threshold, suitable for 2.5–4.5 V drive).
- High-speed switching with low gate charge (suitable for efficient DC-DC and synchronous rectification).
- Low parasitic inductance in the compact package; suitable for dense layouts.
- Integrated body diodes with good reverse-recovery characteristics.
- RoHS-compliant, lead-free (LF).
- Broad operating temp range (typical -40°C to +125°C) for power applications.
Ideal uses: synchronous buck regulators, load switches, reverse-current protection, and other compact power-switching circuits. For exact electrical numbers and package details, consult the official datasheet.
Package
Pinout
Function: DMN3032LFDB-7 is a dual N-channel MOSFET in a 7-pin package (lead-free). It contains two 30V, ~3.2A enhancement-mode N-channel MOSFETs intended for switching in power-management circuits (e.g., DC-DC converters).
Manufacturer
Company type: A global semiconductor company that designs and manufactures diodes, transistors, MOSFETs, and other discrete/analog IC components.
Application
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