CY62146EV30LL-45BVXI

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CY62146EV30LL-45BVXI

IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48VFBGA

  • Fabricant
  • Mfr. Partie #CY62146EV30LL-45BVXI
  • Paquet 48-VFBGA
  • Fiche de données
  • En stock337

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Spécifications

Supplier Cypress Semiconductor Corp
Package Tray
Series MoBL®
ProductStatus Active
MemoryType Volatile
MemoryFormat SRAM
Technology SRAM - Asynchronous
MemorySize 4Mb (256K x 16)
MemoryInterface Parallel
WriteCycleTime-WordPage 45ns
AccessTime 45 ns
Voltage-Supply 2.2V ~ 3.6V
OperatingTemperature -40°C ~ 85°C (TA)
MountingType Surface Mount
Package/Case 48-VFBGA

Vue d'ensemble

Description

CY62146EV30LL-45BVXI is a Cypress (now Infineon) CMOS static RAM device. It is part of the CY62146 family and is designed as a high-speed, volatile memory for embedded systems and board-level storage.
Key points:
- Type: asynchronous static RAM (SRAM) with a data/bus interface suitable for microcontrollers and processors.
- Speed/voltage: typically a 45 ns access time device; operates from a low-voltage supply in the 2.7–3.6 V range (exact rails in datasheet).
- Packaging: leadless LCC/LL package variant (BVXI series).
- Applications: caches, buffers, frame buffers, data storage and memory expansion in embedded systems.
For exact memory organization (word/bit width), total capacity, pinout, timing, power, operating temperature, and recommended conditions, refer to the official CY62146EV30LL-45BVXI datasheet and packaging drawings.

Features

Key features of CY62146EV30LL-45BVXI (typical):
- Density/Organization: 1 Mbit SRAM, 65,536 × 16 bit
- Access time: 45 ns (speed grade -45)
- 16-bit data bus with LB# and UB# for byte select
- Bidirectional data I/O with three-state outputs
- Control signals: CE#, OE#, WE#
- Power: single 3.3V operation (low active current; standby modes)
- Temperature range: industrial (-40°C to 85°C) typical
- Packaging: 48-pin (LL/BXI family) Pb-free/RoHS-compliant
- Static memory (no clocking required); suitable for caches, buffers, frame buffers
Note: exact I/O voltage and temp range may vary by revision; consult the datasheet for precise specs.

Package

Leadless package (LL) in a BVXI Ball Grid Array (BGA) form factor.

Pinout

- Pin count: 28 pins (28‑pin leadless package)
- Function: CY62146EV30LL-45BVXI is a 1 Mb (128K x 8) asynchronous static RAM (SRAM). It has 8 data I/O lines (DQ0–DQ7), address inputs A0–A16, and control signals CE, OE, WE with tri‑state outputs when not selected.

Manufacturer

Manufacturer: Cypress Semiconductor Corporation (CY).
What kind of company: Cypress is a US-based semiconductor company that designs and manufactures memory and mixed‑signal ICs (e.g., SRAM/flash memory, microcontrollers, analog/digital ICs). It was acquired by Infineon Technologies in 2020 and is now part of Infineon.

Application

CY62146EV30LL-45BVXI is a 1-Mbit static RAM. Typical application areas:
- General purpose SRAM for microcontrollers/SoCs
- CPU caches and scratchpad memory
- Video/graphics frame buffers
- Data buffers in communications, networking, modems
- DSP data storage and look-up tables
- Automotive and industrial control systems
- Portable/consumer electronics requiring fast random access memory

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