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CY15B256Q-SXE
IC FRAM 256KBIT SPI 8SOIC
- Fabricant
- Mfr. Partie #CY15B256Q-SXE
- Paquet
- Fiche de données CY15B256Q-SXE DataSheet
- En stock2751
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Spécifications
| Series | F-RAM™ |
| Part Status | Active |
| Memory Type | Non-Volatile |
| Memory Format | FRAM |
| Technology | FRAM (Ferroelectric RAM) |
| Memory Size | 256Kbit |
| Memory Organization | 32K x 8 |
| Memory Interface | SPI |
| Clock Frequency | 33 MHz |
| Access Time | 9 ns |
| Voltage - Supply | 2.7V ~ 3.6V |
| Operating Temperature | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Base Product Number | CY15B256 |
Vue d'ensemble
Description
It communicates using a Serial Peripheral Interface (SPI), which facilitates easy integration into various microcontroller systems. The CY15B256Q-SXE retains data without the need for a power supply, ensuring data integrity in power-loss scenarios. This combination of speed, endurance, and non-volatility makes it ideal for applications in automotive, industrial, and consumer electronics where reliability and performance are crucial.
Features
1. Memory Size: 256 Kbit (32K x 8 bits).
2. Operating Voltage: Typically 2.7V to 3.6V.
3. Data Retention: Non-volatile with low power consumption.
4. Speed: Fast access times, typically around 50 ns.
5. SPI Interface: Supports standard SPI modes, facilitating easy integration into various applications.
6. Low Power Consumption: Designed for battery-operated devices.
7. High Reliability: Endurance of up to 1 million write cycles and data retention of up to 20 years.
8. Temperature Range: Rated for -40°C to +85°C, suitable for industrial applications.
9. Packaging: Available in compact packages, including SOIC and WSON.
These features make the CY15B256Q-SXE suitable for applications requiring fast, reliable, and non-volatile memory storage, such as automotive, industrial, and consumer electronics.
Package
Pinout
1. VCC: Power supply.
2. GND: Ground.
3. SCK: Serial clock input for synchronous data transfer.
4. CS#: Chip select, active low, to enable the device.
5. MOSI: Master Out Slave In, data input for programming.
6. MISO: Master In Slave Out, data output for reading.
7. WP#: Write protect, active low, to protect memory from writes.
8. RESET#: Reset input to reset the device.
The CY15B256Q-SXE is suitable for applications requiring non-volatile storage with low power consumption.
Manufacturer
Application
Equivalent
Expédition
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