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CSD87331Q3D
MOSFET 2N-CH 30V 15A 8LSON
- Fabricant
- Mfr. Partie #CSD87331Q3D
- Paquet PowerLDFN-8
- Fiche de données
- En stock3216
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Spécifications
| Package | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Bulk |
| Series | NexFET™ |
| ProductStatus | Active |
| FETType | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FETFeature | Standard |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 30V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 15A |
| Vgs(th)(Max)@Id | 2.1V, 1.2V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 3.2nC @ 4.5V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 518pF @ 15V |
| Power-Max | 6W |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount |
| Package/Case | 8-PowerLDFN |
Vue d'ensemble
Description
Key features often include adjustable output voltage, a wide input voltage range, overcurrent protection, and thermal shutdown capabilities, ensuring reliable performance under varying conditions. The IC is designed for ease of integration, with a compact footprint that makes it ideal for space-constrained designs.
Overall, CSD87331Q3D serves as a versatile solution for designers looking to optimize power efficiency and performance in electronic systems.
Features
1. Low R_DS(on): Offers a low on-resistance, enhancing efficiency and reducing power loss.
2. High Current Rating: Supports up to 70A continuous drain current, suitable for various high-power applications.
3. Thermal Performance: Excellent thermal performance with a low thermal resistance, ensuring reliable operation under heavy loads.
4. Fast Switching Speed: Optimized for fast switching, reducing switching losses in high-frequency applications.
5. Compact Package: Available in a compact 5 mm x 6 mm QFN package, facilitating space-efficient designs.
6. High Reliability: Designed for robust performance in demanding environments.
These features make the CSD87331Q3D ideal for use in DC-DC converters, synchronous rectification, and power management systems.
Package
Pinout
1. VIN: Input voltage supply.
2. SW: Switch node connection for the inductor.
3. GND: Ground connection.
4. VOUT: Output voltage node.
5. BOOT: Bootstrapping capacitor connection for the high-side gate driver.
6. PH: High-side gate driver output.
7. GH: Gate drive signal for the high-side MOSFET.
8. GL: Gate drive signal for the low-side MOSFET.
This device supports synchronous buck converter topologies, providing integrated high and low-side MOSFETs for improved efficiency and reduced solution size.
Manufacturer
Application
Equivalent
Expédition
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