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CSD59998Q4M
- Fabricant
- Mfr. Partie #CSD59998Q4M
- Paquet
- Fiche de données
- En stock2610
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Spécifications
| Brand | Texas Instruments |
| Factory Pack Quantity:Factory Pack Quantity | 2500 |
Vue d'ensemble
Description
Features
1. Integrated MOSFETs: Combines low RDS(on) N-channel MOSFETs for efficient power conversion.
2. High Efficiency: Optimized for low power loss, improving overall system efficiency.
3. Wide Input Voltage Range: Supports a broad range of input voltages, making it versatile for different applications.
4. Thermal Performance: Designed for effective heat dissipation, ensuring reliability under load.
5. Compact Package: Available in a small QFN package, which aids in space-constrained designs.
6. Advanced Protection Features: Includes overcurrent protection, thermal shutdown, and under-voltage lockout for enhanced safety.
7. Easy to Use: Simplifies design with minimal external components required.
This combination of features makes the CSD59998Q4M suitable for applications requiring efficient power management and compact solutions.
Package
Pinout
1. Gate (G) – This pin controls the MOSFET and is used to turn it on or off.
2. Drain (D) – This pin connects to the load side of the MOSFET, where the current flows when the device is on.
3. Source (S) – This pin connects to the ground or the negative side of the power supply, completing the circuit.
4. Body (B) – This pin is typically internally connected to the source, providing a common reference point.
The CSD59998Q4M is optimized for applications such as synchronous rectification, DC-DC converters, and other power management systems, providing low on-resistance and fast switching capabilities.
Manufacturer
Application
Equivalent
Expédition
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