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CGH40025F
RF MOSFET HEMT 28V 440166
- Fabricant
- Mfr. Partie #CGH40025F
- Paquet 440166
- Fiche de données
- En stock4916
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Spécifications
| Package | Tray |
| Series | GaN |
| ProductStatus | Not For New Designs |
| TransistorType | HEMT |
| Frequency | 0Hz ~ 6GHz |
| Gain | 13dB |
| Voltage-Test | 28 V |
| CurrentRating(Amps) | 7A |
| Current-Test | 250 mA |
| Power-Output | 30W |
| Voltage-Rated | 84 V |
| Package/Case | 440166 |
Vue d'ensemble
Description
Features
1. Low Noise: Designed for minimal noise, making it suitable for sensitive signal processing.
2. Wide Bandwidth: Offers a high unity-gain bandwidth, typically around 25 MHz, allowing for fast signal response.
3. High Slew Rate: Capable of rapid changes in output, which is essential for dynamic applications.
4. Low Input Offset Voltage: Ensures accurate signal amplification with minimal error.
5. High Power Supply Rejection Ratio (PSRR): Maintains performance stability against variations in supply voltage.
6. Wide Supply Voltage Range: Compatible with various circuit configurations, enhancing versatility.
7. Low Total Harmonic Distortion (THD): Delivers high fidelity in audio and other signal applications.
These features make the CGH40025F ideal for audio applications, instrumentation, and other precision analog circuits.
Package
Pinout
The pin functions are as follows:
1. Gate (G): This pin controls the transistor’s operation; it is used to apply the input signal.
2. Drain (D): This pin is connected to the load and delivers the amplified output RF signal.
3. Source (S): This pin is the reference point for the gate and drain voltages; it typically connects to ground.
4. Substrate (Sub): This pin is connected to the heat sink or ground for thermal management.
The CGH40025F is known for its high efficiency and linearity in RF amplification.
Manufacturer
Application
Equivalent
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