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CGH40010F
RF MOSFET HEMT 28V 440166
- Fabricant
- Mfr. Partie #CGH40010F
- Paquet 440166
- Fiche de données
- En stock6754
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Spécifications
| Package | Tray |
| Series | GaN |
| ProductStatus | Not For New Designs |
| TransistorType | HEMT |
| Frequency | 0Hz ~ 6GHz |
| Gain | 14.5dB |
| Voltage-Test | 28 V |
| CurrentRating(Amps) | 3.5A |
| Current-Test | 200 mA |
| Power-Output | 12.5W |
| Voltage-Rated | 84 V |
| Package/Case | 440166 |
Vue d'ensemble
Description
Features
1. Wide Voltage Range: It operates with a supply voltage of ±2.5V to ±15V, making it suitable for diverse power supply configurations.
2. Low Noise: With a low input voltage noise density, it is ideal for sensitive applications such as audio processing and instrumentation.
3. High Slew Rate: The amplifier has a high slew rate, enabling it to handle fast signal changes effectively.
4. Wide Bandwidth: Offers a substantial gain-bandwidth product, allowing for efficient signal amplification over a wide range of frequencies.
5. Low Distortion: Designed to minimize total harmonic distortion (THD), ensuring high fidelity in signal reproduction.
6. Single and Dual Supply Options: Compatible with both single and dual power supply circuits, enhancing flexibility in design.
These features make the CGH40010F suitable for applications in audio, medical, and industrial instrumentation, where precision and reliability are critical.
Package
Pinout
1. Gate Pins (G): Control the transistor's operation, allowing for modulation of the output signal.
2. Source Pins (S): Provide the necessary signal ground reference and power supply.
3. Drain Pins (D): Deliver amplified output signals to the load.
The precise configuration and functions can vary slightly depending on the specific application and design, but the CGH40010F is primarily used for RF amplification in communication systems. Always refer to the manufacturer's datasheet for detailed pin configurations and specifications.
Manufacturer
Application
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