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C3M0075120J
SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7
- Fabricant
- Mfr. Partie #C3M0075120J
- Paquet
- Fiche de données C3M0075120J DataSheet
- En stock6578
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Spécifications
| Series | C3M™ |
| Part Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 20A, 15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 51 nC @ 15 V |
| Vgs (Max) | +19V, -8V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1350 pF @ 1000 V |
| Power Dissipation (Max) | 113.6W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | D2PAK-7 |
| Package / Case | TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Base Product Number | C3M0075120 |
Vue d'ensemble
Description
For precise details about C3M0075120J, including its features, functionalities, and potential use cases, it's recommended to refer to the manufacturer's website or product catalog, where comprehensive information is often provided. If you have a specific context or industry in mind, please provide additional details for a more tailored response.
Features
1. Voltage Rating: Typically rated for 750V, making it suitable for high-voltage applications.
2. Current Handling: Capable of handling high current levels, typically around 12A, depending on the specific model.
3. Low On-Resistance: Offers extremely low R_DS(on), which reduces conduction losses and improves overall efficiency.
4. Fast Switching Speed: High switching speeds enable improved efficiency and reduced switching losses, ideal for high-frequency applications.
5. Thermal Performance: Excellent thermal conductivity due to SiC material, allowing for higher operating temperatures and reduced cooling requirements.
6. Robustness: Superior reliability and robustness in harsh environments compared to traditional silicon devices.
7. Applications: Suitable for use in power supplies, electric vehicle inverters, and industrial motor drives.
Overall, the C3M0075120J is ideal for demanding applications that require efficiency and reliability.
Package
Pinout
1. Gate (G) - Controls the switching of the MOSFET.
2. Drain (D) - Connects to the load; current flows out of this terminal.
3. Source (S) - Common terminal for current flow; connects to the ground or negative side of the power supply.
4. Substrate (B) - Often internally connected to the source or may require external connection depending on the application.
This device is designed for high voltage and high temperature operations, making it suitable for various industrial applications.
Manufacturer
Application
Equivalent
1. STMicroelectronics: STP7H065
2. Infineon: IPW65R045C6
3. Rohm: SCT3020KL
4. On Semiconductor: MPS65R020
Always verify specifications like voltage, current ratings, and package compatibility before substitution.
Expédition
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