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BUK9Y25-80E
MOSFETs
- Fabricant
- Mfr. Partie #BUK9Y25-80E
- Paquet
- Fiche de données
- En stock21021
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Spécifications
Vue d'ensemble
Description
Key features include a low on-resistance, which minimizes power loss, and a fast switching speed that enhances performance in switching applications. The BUK9Y25-80E is often utilized in power supplies, motor controls, and other circuits where efficient power regulation is critical.
The device typically has a maximum drain-source voltage rating of 80V and can handle continuous drain currents, making it suitable for demanding applications. It is packaged in a TO-220 or similar housing, facilitating easy integration into circuits. Overall, the BUK9Y25-80E is a reliable choice for engineers seeking robust performance in power management systems.
Features
1. Voltage Rating: It has a maximum drain-source voltage (V_DS) of 25V, making it suitable for low-voltage applications.
2. Current Rating: The MOSFET can handle a continuous drain current (I_D) of up to 80A, ideal for high current applications.
3. Low On-Resistance: It offers a low on-resistance (R_DS(on)), which improves efficiency and reduces power loss during operation.
4. Fast Switching Speed: Designed for quick switching times, it enhances the performance of high-frequency circuits.
5. Thermal Performance: Features good thermal stability, allowing for reliable operation under varying temperatures.
6. Package Type: Typically available in a TO-220 or similar package, facilitating easy heat dissipation and mounting.
Overall, the BUK9Y25-80E is a robust choice for power electronics, offering a combination of high efficiency, reliability, and performance.
Package
Pinout
1. Gate (G) - Controls the MOSFET operation.
2. Drain (D) - The main current-carrying terminal.
3. Source (S) - The terminal connected to ground or the lower potential in the circuit.
4. Source (S) - Duplicate source pin for better current distribution.
5. Drain (D) - Duplicate drain pin for better current handling.
6. Gate (G) - Duplicate gate pin for enhanced drive capability.
7. Gate (G) - Additional gate pin for parallel configurations.
8. Drain (D) - Extra drain pin for improved thermal management.
The MOSFET is optimized for applications like power supply, motor control, and DC-DC converters, providing low on-resistance and fast switching speeds.
Manufacturer
Application
Equivalent
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