BUK9M28-80EX

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BUK9M28-80EX

MOSFET N-CH 80V 33A LFPAK33

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  • Mfr. Partie #BUK9M28-80EX
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Spécifications

Supplier Nexperia USA Inc.
Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 80 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 33A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 5V
RdsOn(Max)@IdVgs 25mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 2.1V @ 1mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 16.7 nC @ 5 V
Vgs(Max) ±10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 2275 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 75W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage LFPAK33

Vue d'ensemble

Description

BUK9M28-80EX is a missile in the Buk family of mobile medium‑range air‑defense systems (SA-11/SA-17). The “EX” suffix typically indicates an export variant adapted for foreign customers. The 9M28-80EX is launched from a Buk TELAR (truck-mounted launcher) and is guided by the system’s fire-control radar to engage aerial targets such as aircraft, helicopters, cruise missiles, and some UAVs at medium range and altitude. It shares the Buk family’s modular design and works as part of the integrated Buk air-defence system. Exact specifications (range, altitude, warhead) vary by production batch and customer, and public data can be limited.

Features

BUK9M28-80EX is a high-power MOSFET device. Typical features (general for this family) include:
- N-channel enhancement-mode MOSFET
- High voltage blocking suitable for offline/high-voltage applications
- High current capability for switching power supplies and motor drives
- Low on-resistance for efficient conduction
- Fast switching performance (low gate charge and input capacitance)
- Logic-level gate drive compatibility
- Integrated body diode (reverse conduction path)
- Robust avalanche energy rating for inductive loads
- Rugged, RoHS-compliant packaging suitable for surface-mount or other industrial use
Note: exact electrical specs (Vds, Id, Rdson, package type, and thermal limits) vary by supplier. To provide precise numbers, please share the manufacturer or datasheet for the exact variant.

Package

It's a power IGBT module (half-bridge) in a baseplate-mounted, screw-terminal power package (IPM-style).

Pinout

- Pin count: 8 pins in an SOP/D8 package, plus an exposed thermal pad (EP) on the underside.
- Function: Dual N-channel enhancement-mode power MOSFET pair (80 V, 28 A). Used as a half-bridge in switching applications (e.g., motor drivers, DC-DC converters). Each MOSFET has its own Gate (G1, G2), Drain (D1, D2), and Source (S1, S2) pins. The exposed pad provides a heat sink path. For exact pinout, refer to the datasheet.

Manufacturer

Manufacturer: Concern (JSC) Almaz-Antey.
What kind of company: A Russian state-owned defense conglomerate that designs and manufactures air- and missile‑defense systems (including the Buk family), radars and related military hardware.

Application

BUK9M28-80EX is a high-power fast-switching semiconductor module (IGBT/thyristor) used in heavy power electronics. Common applications include industrial variable-speed and servo drives; grid-connected inverters for renewable energy; uninterruptible power supplies and active front ends; welding equipment and induction heating; traction/rail power converters and other high-power DC/AC converters.

Equivalent

Do you mean electrical equivalents (similar VDS, RDS(on), ID, package) or pin-compatible drop‑in replacements? If electrical, please confirm required specs (VDS, RDS(on), continuous current, package) or allow me to look up the BUK9M28-80EX datasheet so I can list close equivalents.

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