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BSS138N
DIODE SIL SIC 60V 0.6A SOT-23
- Fabricant
- Mfr. Partie #BSS138N
- Paquet
- Fiche de données
- En stock4731
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Spécifications
| Part Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 500mA (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.75V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5Ohm @ 500mA, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.6 nC @ 4.5 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 330 pF @ 15 V |
| Power Dissipation (Max) | 1.3W (Ta) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | SOT-23 |
| Package | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Packaging | Tape & Reel (TR) |
Vue d'ensemble
Description
Key specs (typical):
- Vds: around 50V
- Id: about 180 mA
- Rds(on): ~3–6 Ω at Vgs = 4.5V
- Vgs(th): ~0.8–1.5V
Common uses:
- General-purpose switching (low to moderate current)
- Bidirectional level shifting for I2C and GPIO between different voltages
- Small signal switching in compact circuits
How it works (level shifting):
- Gate tied to the lower-voltage rail (V_L)
- Source on the low-voltage side, drain on the high-voltage side
- Each side has its own pull-up to its supply
- When idle, MOSFET is off; when one side pulls low, Vgs rises and the device conducts, pulling the other side low
Notes:
- inexpensive and widely available
- not for high-current or high-speed power switching; orientation matters in some uses.
Features
- N-channel enhancement-mode MOSFET
- VDS: ~50 V; ID: ≈ 180 mA
- RDS(on): ~3.5 Ω (typ) at VGS = 4.5 V
- Gate threshold: ~0.8–2.0 V (logic-level gate)
- Fully on with low gate drive (2.5–4.5 V)
- Small-signal, fast switching with low input capacitance
- Package: SOT-23 (surface-mount)
- Wide operating temp range: typically -55°C to +150°C
- Common uses: I2C level shifting, small load switching, general-purpose switching/n-small-signal roles
Package
Pinout
- Function: N-channel enhancement-mode MOSFET used as a small-signal switch; widely used as a bidirectional level shifter for open-drain buses like I2C.
Manufacturer
Kind of company: a semiconductor company that designs, fabricates, and sells electronic components (transistors, diodes, ICs, etc.).
Application
- General-purpose, low-current N-channel MOSFET switch/buffer in low-power digital circuits.
- Used in compact sensor, display, and MCU interfaces for simple signal gating and isolation.
Equivalent
- BSS138 (same family)
- 2N7002
- 2N7002K
- Si2302
- IRLML2502
- IRLML6344
Note: Rds(on) and gate threshold vary by part and vendor. Check datasheets for Vds, Id, and Rds(on) to fit your design.
Expédition
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