BSS138AKAR

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BSS138AKAR

MOSFET N-CH 60V 200MA TO236AB

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Spécifications

Supplier Nexperia USA Inc.
Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 60 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 200mA (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 1.5V @ 250mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 0.51 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 47 pF @ 30 V
PowerDissipation(Max) 300mW (Ta), 1.06W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage TO-236AB

Vue d'ensemble

Description

BSS138AKAR is a small-signal N-channel MOSFET in a SOT-23 package. It’s an enhancement-mode transistor used as a switch or signal-level translator.
Key points:
- Vds: about 50 V; Id: ~150–180 mA; Rds(on): a few ohms (roughly 3–5 Ω) at Vgs in the 2.5–4.5 V range.
- Gate threshold typically ~0.6–1.5 V (start of conduction at low Vgs).
- Package: 3 pins (G, D, S); common for level shifting (e.g., I2C) and small-signal switching.
- The AKAR suffix usually denotes a specific supplier/package variant; always consult the exact datasheet for your lot.
Use caution: verify exact electrical specs from the manufacturer’s datasheet for your component, as values can vary by lot or vendor.

Features

Here are concise features of BSS138AKAR:
- N-channel enhancement-mode MOSFET
- VDS: 50 V
- ID: ~0.18–0.22 A (continuous)
- RDS(on): typ ~3.5 Ω at VGS = 4.5 V; higher at lower VGS
- VGS(th): ~0.8–1.5 V (logic-level gate)
- Low gate capacitance and gate charge
- Package: SOT-23 (3-pin); RoHS compliant; variants for tape & reel
- Temperature range: -55°C to +150°C
- Applications: logic-level switching, level shifting (e.g., I2C/GPIO), small-signal switching
Note: exact numbers may vary slightly by lot; always check the specific datasheet variant for your batch.

Package

BSS138AKAR is an N-channel MOSFET in a SOT-23 (3-pin) surface-mount package (SOT-23-3).

Pinout

Pin count: 3 pins.
Function: N-channel enhancement-mode MOSFET used as a small-signal switch. Pinout (left to right with the flat face toward you): 1 = Gate, 2 = Drain, 3 = Source. Often used as a level-shifter/switch in logic circuits.

Manufacturer

The BSS138AKAR is a variant of the BSS138 N‑channel MOSFET produced by multiple semiconductor manufacturers (examples include Diodes Incorporated, ROHM, Nexperia and ON Semiconductor). These are semiconductor companies that design, manufacture and supply discrete devices (MOSFETs, diodes, transistors) and analog/mixed‑signal integrated circuits and power‑management components.

Application

Key applications of BSS138AKAR:
- Bidirectional I2C level shifting between 3.3V and 5V domains
- Low-side switch for small loads (LEDs, sensors, relays) in embedded systems
- Signal buffering/interfacing in microcontroller circuits
- General-purpose, small-footprint level-shifting in portable/space-constrained designs

Equivalent

Equivalent products: N-channel logic‑level MOSFETs such as the 2N7002 family (e.g., 2N7002 and 2N7002K) from various manufacturers. They use similar SOT-23 packaging and comparable Vds/Id and Rdson; verify Rdson, Vds, and package when replacing BSS138AKAR.

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