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BFU760F
- Fabricant
- Mfr. Partie #BFU760F
- Paquet
- Fiche de données BFU760F DataSheet
- En stock22383
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Spécifications
| Manufacturer | Nexperia |
| Package | SOT-343F |
| Pd - Power Dissipation | 220mW |
| type | NPN |
| Current - Collector(Ic) | 25mA |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 2.8V |
| Transition frequency(fT) | 45GHz |
| Current - Collector Cutoff | 100nA |
| DC Current Gain | 330@10mA,2V |
Vue d'ensemble
Description
Features
1. Low Noise Figure: Excellent for low-noise applications, making it suitable for RF front-end amplifiers.
2. High Gain: Offers substantial amplification, ensuring strong signal processing capabilities.
3. Wide Frequency Range: Supports frequencies from VHF to UHF, enhancing versatility in communication systems.
4. Silicon Construction: Provides good thermal stability and reliability.
5. Small Package: Typically available in a compact SOT-143 package, facilitating easy integration into circuits.
6. High Linearity: Maintains signal integrity, reducing distortion in amplification processes.
7. Good Power Handling: Suitable for various power levels in RF applications.
These features make the BFU760F ideal for use in various RF applications, including television transmitters, receivers, and other communication devices.
Package
Pinout
1. Pin 1 (Emitter): This pin serves as the emitter of the transistor.
2. Pin 2 (Base): This pin is used for the base terminal, which controls the transistor's operation.
3. Pin 3 (Collector): This pin is the collector terminal, where the output signal is taken.
4. Pin 4 (Not Connected): Typically, this pin is not connected to any internal circuit.
The BFU760F is commonly utilized in applications requiring high-frequency amplification due to its favorable noise figure and gain characteristics.
Manufacturer
Application
Equivalent
Expédition
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