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AT28BV64B-20SU
IC EEPROM 64KBIT PARALLEL 28SOIC
- Fabricant
- Mfr. Partie #AT28BV64B-20SU
- Paquet 28-SOIC
- Fiche de données AT28BV64B-20SU DataSheet
- En stock6761
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Spécifications
| Package | Tube |
| ProductStatus | Active |
| MemoryType | Non-Volatile |
| MemoryFormat | EEPROM |
| Technology | EEPROM |
| MemorySize | 64Kb (8K x 8) |
| MemoryInterface | Parallel |
| WriteCycleTime-WordPage | 10ms |
| AccessTime | 200 ns |
| Voltage-Supply | 2.7V ~ 3.6V |
| OperatingTemperature | -40°C ~ 85°C (TC) |
| MountingType | Surface Mount |
| Package/Case | 28-SOIC (0.295, 7.50mm Width) |
Vue d'ensemble
Description
Key features include a fast access time of up to 20 ns, enabling quick data retrieval, and a byte-wise write capability that allows for selective memory updates without erasing the entire chip. The AT28BV64B-20SU supports multiple programming modes, including standard and fast programming, enhancing its usability in different scenarios.
Additionally, it incorporates a robust data retention capability, typically exceeding 100 years, ensuring long-term reliability. The chip is often utilized in consumer electronics, automotive systems, and industrial applications where reliable and efficient non-volatile memory is essential. Overall, the AT28BV64B-20SU is a reliable choice for designers seeking efficient memory solutions.
Features
1. Memory Organization: 64K x 8-bit architecture, allowing for storage of 64K bytes of data.
2. Voltage Range: Operates typically at 2.7V to 3.6V, making it suitable for low-voltage applications.
3. Access Time: Offers a maximum access time of 20 ns, ensuring fast data retrieval.
4. Data Retention: Provides excellent data retention, typically up to 100 years.
5. Endurance: Supports up to 1 million write/erase cycles, making it durable for extensive use.
6. Interface: Utilizes a simple parallel interface for easy integration into systems.
7. Programming: Features byte or page programming modes, enhancing flexibility in data storage.
8. Packaging: Available in a 32-lead SOIC (Small Outline Integrated Circuit) package, facilitating compact designs.
This EEPROM is ideal for applications requiring reliable, non-volatile memory.
Package
Pinout
- Address Pins (A0-A12): Used to select memory addresses.
- Data Pins (D0-D7): Used for input and output of data.
- Chip Enable (CE): Activates the chip for read or write operations.
- Output Enable (OE): Controls the data output.
- Write Enable (WE): Initiates write operations.
- Vcc: Power supply pin.
- Ground (GND): Common ground reference.
The device supports fast read and write cycles, making it suitable for various applications in embedded systems.
Manufacturer
Application
Equivalent
1. M27C64 - 64 Kbit EPROM
2. AT28C64B - 64 Kbit Flash EEPROM
3. W27C64 - 64 Kbit EPROM
4. SST28SF064B - 64 Kbit Flash EEPROM
Ensure to check voltage, interface, and timing specifications for compatibility before substituting.
Expédition
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