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AS7C256B-15JIN
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
- Fabricant
- Mfr. Partie #AS7C256B-15JIN
- Paquet 28-BSOJ (0.300, 7.62mm Width)
- Fiche de données
- En stock2352
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Spécifications
| Supplier | Alliance Memory, Inc. |
| Package | Tube |
| ProductStatus | Discontinued at Digi-Key |
| MemoryType | Volatile |
| MemoryFormat | SRAM |
| Technology | SRAM - Asynchronous |
| MemorySize | 256Kb (32K x 8) |
| MemoryInterface | Parallel |
| WriteCycleTime-WordPage | 15ns |
| AccessTime | 15 ns |
| Voltage-Supply | 4.5V ~ 5.5V |
| OperatingTemperature | -40°C ~ 85°C (TA) |
| MountingType | Surface Mount |
| Package/Case | 28-BSOJ (0.300, 7.62mm Width) |
Vue d'ensemble
Description
Key features
- Capacity and organization: 256 Kbit organized as 32K × 8 bits
- Interface: SPI-compatible 8‑pin package (RoHS JIN lead-free)
- Voltage and speed: typically 2.7–3.6 V supply; up to 15 MHz clock (single‑SPI)
- Memory operations: Read/Fast Read, Page Program (up to 256 bytes), Sector Erase (commonly 4 KB sectors), Chip Erase
- Control: Write Enable/Disable, Read/Write Status Register, WIP bit monitoring
- Power modes: normal and Deep Power-Down for low power
- Applications: boot firmware, code shadowing, data logging, firmware updates
- Packaging: 8‑pin small outline package suitable for compact PCBs
Notes
- Exact timing, sector size, and voltage range should be verified in the datasheet for your revision and operating conditions.
Features
- Density/organization: 32K x 8 (256K bits)
- Speed: 15 ns access time
- Interface: asynchronous SRAM with separate CS (CE), OE, and WE
- I/O: 3-state bidirectional data I/O
- Supply voltage: single 2.7V–3.6V operation
- Power: standby/power-down when CS is inactive (low power)
- Temperature: industrial range typically -40°C to 85°C
- Packaging: JIN code (standard SRAM package)
Applications: general-purpose memory, buffers, caches, and other data-storage needs requiring fast, low-power static RAM.
Package
Pinout
Function: 256K × 8-bit CMOS static RAM (SRAM) with asynchronous read/write. Uses A0–A17 for addresses, DQ0–DQ7 for data, and CE (chip enable), OE (output enable), and WE (write enable) as control inputs, plus Vcc and GND. The -15 indicates a 15 ns speed grade.
Manufacturer
Alliance Memory is a semiconductor company that designs and markets memory integrated circuits (SRAM/DRAM). It is a fabless memory-focused company.
Application
- General-purpose RAM in embedded microcontroller/processor systems
- Cache/scratchpad memory and data buffers
- Frame/graphics buffers and display memory
- Data-acquisition, DSP buffering, and audio/video processing
- Networking/telecom buffers and temporary storage
- Automotive/industrial controllers needing fast, reliable RAM
- Prototyping and portable devices requiring quick random-access memory
Equivalent
Expédition
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