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AO9926B
MOSFET 2N-CH 20V 7.6A 8-SOIC
- Fabricant
- Mfr. Partie #AO9926B
- Paquet 8-SOIC
- Fiche de données AO9926B DataSheet
- En stock4778
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Spécifications
| Package | Tape & Reel (TR) |
| ProductStatus | Active |
| FETType | 2 N-Channel (Dual) |
| FETFeature | Logic Level Gate |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 20V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 7.6A |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 23mOhm @ 7.6A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 1.1V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 12.5nC @ 10V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 630pF @ 15V |
| Power-Max | 2W |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount |
| Package/Case | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Vue d'ensemble
Description
In practical applications, AO9926B is utilized in safety signage, emergency lighting, and decorative items, providing visibility in low-light conditions. Its longevity and stability under different environmental conditions make it a preferred choice for manufacturers. Research continues into improving its performance, including brightness, duration of glow, and environmental impact. Understanding the properties and applications of AO9926B is essential for innovation in fields like materials science and optical engineering.
Features
1. Low On-Resistance: This enhances efficiency by reducing power loss during operation.
2. High Voltage Rating: Typically rated for 30V, making it suitable for various power management applications.
3. Fast Switching Speed: Suitable for high-frequency applications, improving performance in switching circuits.
4. Low Gate Charge: This allows for lower driving power and faster switching, which is beneficial in DC-DC converters.
5. Thermal Stability: Designed to operate at elevated temperatures, ensuring reliability in demanding environments.
6. Small Package Size: Often available in compact packages like SO-8 or SOT-23, facilitating space-efficient designs.
Overall, the AO9926B is ideal for use in power supplies, motor drivers, and other applications requiring efficient power management.
Package
Pinout
1. Gate1 (G1): Gate control for the first N-channel MOSFET.
2. Drain1 (D1): Drain connection for the first N-channel MOSFET.
3. Source1 (S1): Source connection for the first N-channel MOSFET.
4. Gate2 (G2): Gate control for the second N-channel MOSFET.
5. Drain2 (D2): Drain connection for the second N-channel MOSFET.
6. Source2 (S2): Source connection for the second N-channel MOSFET.
7. GND: Ground reference for the device.
8. VDD: Power supply input.
The A09926B offers low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for efficient power applications.
Manufacturer
Application
Equivalent
Expédition
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