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AO3418
MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3L
- Fabricant
- Mfr. Partie #AO3418
- Paquet
- Fiche de données AO3418 DataSheet
- En stock3575
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Spécifications
| Package | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| ProductStatus | Not For New Designs |
| FETType | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 30 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 3.8A (Ta) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 2.5V, 10V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 60mOhm @ 3.8A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 1.8V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 3.2 nC @ 4.5 V |
| Vgs(Max) | ±12V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 270 pF @ 15 V |
| PowerDissipation(Max) | 1.4W (Ta) |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount |
| SupplierDevicePackage | SOT-23-3 |
Vue d'ensemble
Description
Students can expect to engage in lectures, discussions, and hands-on activities that foster critical thinking and problem-solving skills. Assessments may include exams, projects, and presentations, aimed at evaluating both theoretical understanding and practical application of concepts.
Overall, AO3418 serves as a valuable building block for more advanced studies in its discipline, preparing students for further academic pursuits or professional endeavors.
Features
1. Voltage Ratings: Typically supports a maximum drain-source voltage (VDS) of 30V.
2. Current Capacity: Rated for continuous drain current (ID) up to 3.2A, making it suitable for moderate load applications.
3. Low RDS(on): Offers a low on-resistance (RDS(on)), typically around 0.025Ω at a gate-source voltage (VGS) of 10V, which enhances efficiency by reducing conduction losses.
4. Fast Switching: Designed for quick switching times, beneficial for high-frequency applications.
5. Thermal Performance: Features a low thermal resistance, allowing better heat dissipation.
6. Package: Available in compact surface-mount packages like SO-8, optimizing space in PCB designs.
7. Applications: Ideal for power switch, load switch, and DC-DC converters.
Overall, the AO3418 combines efficiency, compact design, and high performance for versatile electronic applications.
Package
Pinout
1. Gate (G): Controls the MOSFET's switching.
2. Drain (D): The output terminal where current flows out.
3. Source (S): The input terminal where current enters.
4. Body (B): Back body diode, typically internal to the MOSFET, allowing current to flow in reverse direction.
The pins are generally labeled in the standard TO-220 or SO-8 packages, facilitating easy integration into circuits. The AO3418 is designed for high-efficiency switching applications, featuring low on-resistance and fast switching speeds.
Manufacturer
Application
Equivalent
Expédition
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